Az Európai Bizottság jóváhagyta az osztrák állami támogatást, amely Infineon villachi félvezetőüzemének fejlesztését és a következő generációs chipek nagy tömegű gyártóközpontjává válását szolgálja.
Az Európai Bizottság jóváhagyta 319 millió euró összegű osztrák állami támogatást a félvezetőipari óriás, az Infineon Technologies számára, hogy segítse a vállalat villachi gyárának 1,1 milliárd eurós korszerűsítését. A beruházás lehetővé teszi, hogy a cég felfuttassa a termelést, és létrehozza azt, amit a vállalat a világ első, következő generációs gallium-nitrid teljesítményfélvezetők 300 milliméteres ostyákon történő, nagy volumenű gyártóüzemének nevez.
HIRDETÉS
HIRDETÉS
A Bizottság szerdai, október 28-i közleményében (forrás: angol) hangsúlyozta, hogy az intézkedés, amely az EU Chips Actre épül, segít „erősíteni az EU pozícióját és autonómiáját a félvezető-értékláncban”. Az unió célja, hogy csökkentse a harmadik országokból érkező félvezetőimporttól való függőségét, és az Egyesült Államás és Kína mellett technológiai vezetőként pozicionálja magát.
Az EU azt tűzte ki célul, hogy a globális félvezetőgyártásból való részesedését a 2023-as 10 százalékról 2030-ra 20 százalékra növelje. A Chips Act célja az is, hogy ösztönözze a Európában gyártott chipek iránti keresletet, és segítse a hazai beszállítókat a termelés felfuttatásában.
Az Infineon szerint a beruházásnak köszönhetően a villachi üzem „globális kompetenciaközponttá válik a teljesítményfélvezetők területén”.
Christian Stocker osztrák kancellár azt mondta, a projekt „az egyik legnagyobb egyedi beruházás Ausztria csúcstechnológiai iparának történetében”.
„Ez nemcsak erős elköteleződés Ausztria mint üzleti helyszín mellett, hanem hozzájárul ahhoz is, hogy a félvezetőipar jövőjét ne kizárólag Ázsiában vagy az Egyesült Államokban, hanem Ausztriában és Európában is alakítsák” – tette hozzá.
Az energiaellátó rendszerekre és autóipari félvezetőkre szakosodott német Infineon az előbbi piacon 29, az autóipari chipek piacán pedig 50 százalékos részesedéssel rendelkezik.
„Ez a jelentős beruházás egyértelműen mutatja, hogy elkötelezettek vagyunk az európai félvezető-ökoszisztéma megerősítése és Európa technológiai szuverenitása mellett” – mondta Jochen Hanebeck (forrás: angol), az Infineon Technologies AG vezérigazgatója.
„Azzal, hogy bevezetjük a 300 milliméteres ostyákon történő nagy volumenű gyártást, mi leszünk az első vállalat a világon, amely gallium-nitrid alapú teljesítményelektronikát tömegtermelésben állít elő” – tette hozzá.
Új típusú félvezető
Az Infineon szerint 2024-ben elsőként sikerült 300 milliméteres gallium-nitrid (GaN) ostyákat sikeresen megmunkálnia.
A GaN teljesítményfélvezetők egyre inkább felváltják a szilíciumot a teljesítményelektronikában, mivel nagyobb feszültséget képesek elviselni, gyorsabban kapcsolnak, és magasabb hőmérsékleten is működőképesek.
Okostelefonok, laptopok és táblagépek töltőiben, mesterséges intelligencia adatközpontokban, elektromos járművekben, napelemekben, szélturbinákban, 5G- és 6G-s távközlési bázisállomásokban, valamint robotokban használják őket. Energiahatékonyságuk különösen alkalmassá teszi őket olyan alkalmazásokra, ahol kiemelten fontos az energiafogyasztás csökkentése.
A 300 milliméteres ostyák nagyobbak, mint a hagyományos, 200 milliméteres változatok, így ostyánként 2,3-szor több egyedi chip gyártható, ami csökkenti az előállítási költségeket.
A szakértők előrejelzése szerint a GaN teljesítményfélvezetők piaca 2031-re mintegy 3,1 milliárd dollárra nőhet, ami 2025 és 2031 között évi mintegy 35 százalékos bővülést jelent.
A villachi üzem fejlesztése várhatóan 2034-re fejeződik be.